ntvНаучно-технический вестник информационных технологий, механики и оптикиScientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics2226-14942500-0373Университет ИТМО10.17586/2226-1494-2024-24-5-709-716ntv-136Research ArticleОПТИЧЕСКИЕ СИСТЕМЫ И ТЕХНОЛОГИИOPTICAL ENGINEERINGИсследование усилительных свойств активных областей на основе In0,60Ga0,40As/In0,53Al0,20Ga0,27As сверхрешеток, используемых для вертикально-излучающих лазеровGain characteristics of In0.60Ga0.40As/In0.53Al0.20Ga0.27As superlattice active regions for vertical-cavity surface-emitting lasershttps://orcid.org/0009-0008-8345-461XКопытовП. Е.KopytovP. E.

Копытов Павел Евгеньевич - инженер-исследователь

Санкт-Петербург, 197101

Pavel E. Kopytov - Engineer-Researcher

Saint Petersburg, 197101

kopytovpe@itmo.ruhttps://orcid.org/0000-0002-7471-8627АндрюшкинВ. В.AndryushkinV. V.

Андрюшкин Владислав Васильевич - кандидат технических наук, младший научный сотрудник

Санкт-Петербург, 197101

Vladislav V. Andryushkin - PhD, Junior Researcher

Saint Petersburg, 197101

vvandriushkin@itmo.ruhttps://orcid.org/0000-0001-7186-3768ПироговЕ. В.PirogovE. V.

Пирогов Евгений Викторович - научный сотрудник

Санкт-Петербург, 194021

Evgeniy V. Pirogov - Scientific Researcher

Saint Petersburg, 194021

pirogov_evgenii@spbau.ruhttps://orcid.org/0000-0001-8629-2064СоболевМ. С.SobolevM. S.

Соболев Максим Сергеевич - кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией

Санкт-Петербург, 194021

Maxim S. Sobolev - PhD (Physics & Mathematics), Head of Laboratory

Saint Petersburg, 194021

sobolevsms@gmail.comhttps://orcid.org/0000-0002-3463-4744БабичевА. В.BabichevA. V.

Бабичев Андрей Владимирович - кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник

Санкт-Петербург, 197101

Andrey V. Babichev - PhD (Physics & Mathematics), Senior Researcher

Saint Petersburg, 197101

a.babichev@itmo.ruhttps://orcid.org/0000-0001-5574-171XШерняковЮ. М.ShernyakovYu. M.

Шерняков Юрий Михайлович - кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник

Санкт-Петербург, 194021

Yuri M. Shernyakov - PhD (Physics & Mathematics), Senior Researcher

Saint Petersburg, 194021

yuri.shernyakov@mail.ioffe.ruhttps://orcid.org/0000-0002-9251-226XМаксимовМ. В.MaximovM. V.

Максимов Михаил Викторович — доктор физико-математических наук, заведующий лабораторией

Санкт-Петербург, 194021

Mikhail V. Maximov - D.Sc. (Physics & Mathematics), Head of Laboratory

Saint Petersburg, 194021

maximov@beam.ioffe.ruhttps://orcid.org/0009-0007-6516-0936ЛютецкийА. В.LyutetskiyA. V.

Лютецкий Андрей Владимирович - кандидат физико-математических наук, ведущий научный сотрудник

Санкт-Петербург, 194021

Andrey V. Lyutetskiy - PhD (Physics & Mathematics), Leading Researcher

Saint Petersburg, 194021

lutetskiy@mail.ioffe.ruhttps://orcid.org/0000-0002-0492-2227ПихтинН. А.PikhtinN. A.

Пихтин Никита Александрович - кандидат физико-математических наук, заведующий лабораторией

Санкт-Петербург, 194021

Nikita A. Pikhtin - PhD, Head of Laboratory

Saint Petersburg, 194021

nike@hpld.ioffe.ruhttps://orcid.org/0000-0002-5634-8183КарачинскийЛ. Я.KarachinskyL. Ya.

Карачинский Леонид Яковлевич - доктор технических наук, ведущий научный сотрудник

Санкт-Петербург, 197101

Leonid Ya. Karachinsky - D.Sc., Leading Researcher

Saint Petersburg, 197101

lkarachinsky@itmo.ruhttps://orcid.org/0000-0003-1983-0242НовиковИ. И.NovikovI. I.

Новиков Иннокентий Игоревич - кандидат физико-математических наук, старший научный сотрудник

Санкт-Петербург, 197101

Innokenty I. Novikov - PhD (Physics & Mathematics), Seniorresearcher

Saint Petersburg, 197101

innokenty.novikov@itmo.ruhttps://orcid.org/0009-0001-3610-5993Си-КонгТианSicongTian

Тиан Си-Конг - PhD, директор по производству

Чанчунь, 130033

Sicong Tian - PhD, Head of Laser Fabrication

Changchun, 130033

tiansicong@ciomp.ac.cnhttps://orcid.org/0000-0002-0789-4241ЕгоровА. Ю.EgorovA. Yu.

Егоров Антон Юрьевич - доктор физико-математических наук, профессор

Санкт-Петербург, 197101

Anton Yu. Egorov - D.Sc. (Physics & Mathematics), Professor

Saint Petersburg, 197101

aiegorov@itmo.ruУниверситет ИТМОРоссияITMO UniversityRussian FederationСанкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова РАНРоссияAlferov UniversityRussian FederationФизико-технический институт им. А.Ф. ИоффеРоссияIoffe InstituteRussian FederationКитайско-германский центр зеленой фотоники им. Бимберга, Чанчуньский институт оптики, точной механики и физики, Китайская академия наукКитайBimberg Chinese-German Center for Green PhotonicsChina202413122024245709716Copyright © Копытов П.Е., Андрюшкин В.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Бабичев А.В., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Си-Конг Т., Егоров А.Ю., 20242024Копытов П.Е., Андрюшкин В.В., Пирогов Е.В., Соболев М.С., Бабичев А.В., Шерняков Ю.М., Максимов М.В., Лютецкий А.В., Пихтин Н.А., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Си-Конг Т., Егоров А.Ю.Kopytov P.E., Andryushkin V.V., Pirogov E.V., Sobolev M.S., Babichev A.V., Shernyakov Y.M., Maximov M.V., Lyutetskiy A.V., Pikhtin N.A., Karachinsky L.Y., Novikov I.I., Sicong T., Egorov A.Y.Данная работа распространяется под лицензией Creative Commons Attribution 4.0.This work is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 License.https://ntv.elpub.ru/jour/article/view/136

Введение. Исследованы активные области вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм на основе сверхрешеток In0,60Ga0,40As/In0,53Al0,20Ga0,27As. Проведено сопоставление пороговых характеристик лазеров с активными областями на основе сильно механически напряженных квантовых ям In0,74Al0,16Ga0,10As.Метод. Гетероструктура полосковых лазеров с In0,60Ga0,40As/In0,53Al0,20Ga0,27As сверхрешеткой получена методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Меза-структура полосковых лазеров сформирована методом селективного жидкостного травления с последующим нанесением омических контактов. Формирование полосковых лазеров с различной длиной резонатора выполнено методом ручного скалывания зеркал. Измерение выходных характеристик лазеров проведено в импульсном режиме с использованием калиброванного германиевого фотодиода большой площади, а спектральных характеристик — с помощью спектрофотометра на основе монохроматора.Основные результаты. Достигнутые пороговые характеристики (модальное усиление 40 см–1, плотность тока прозрачности 650 A/см2, внутренние оптические потери 8 см–1) полосковых лазеров, на основе сверхрешеток In0,60Ga0,40As/In0,53Al0,20Ga0,27As с низкой степенью рассогласования кристаллической решетки слоев InGaAs сопоставимы с пороговыми характеристиками лазеров на основе активных областей с сильно механически-напряженными квантовыми ямами In0,74Al0,16Ga0,10As. Характеристические температуры T0 и T1 составили 60 К и 87 К для полосковых лазеров с длиной резонатора 1 мм. Повышение частоты малосигнальной модуляции вертикально-излучающих лазеров и их температурной стабильности связано с использованием сильно механически-напряженных In0,74Ga0,26As/In0,53Al0,25Ga0,21As сверхрешеток.Обсуждение. Предложенные активные области на основе InGaAs-InP сверхрешеток могут найти применение при разработке вертикально- излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм. Результаты работы могут быть реализованы при создании экспериментальных образцов и оптимизации модуляционных параметров вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 нм.

The results of investigation of the gain properties of 1300 nm vertical-cavity surface-emitting lasers active regions based on In0.60Ga0.40As/In0.53Al0.20Ga0.27As superlattices and threshold characteristics comparison of superlattices and highly lattice mismatched In0.74Al0.16Ga0.10As quantum wells are presented. The heterostructure of injection lasers with an In0.60Ga0.40As/In0.53Al0.20Ga0.27As superlattice was grown by molecular beam epitaxy. Mesa structure of injection lasers was obtained by selective liquid etching followed by the application of ohmic contacts. The formation of injection lasers with various cavity lengths is performed using the method of manually cleaving mirrors. The output characteristics were measured in a pulsed mode using a large area calibrated germanium photodiode. Spectral characteristics were measured using a spectrophotometer based on monochromator. The achieved threshold characteristics (modal gain about 40 cm–1, transparency current density about 650 A/cm2, internal optical losses about 8 cm–1) of injection lasers based on In0.60Ga0.40As/In0.53Al0.20Ga0.27As superlattices with low lattice mismatch InGaAs layers are comparable to previously presented lasers based on active regions with strongly strained In0.74Al0.16Ga0.10As quantum wells. The characteristic temperatures T0 and T1 were 60 K and 87 K for injection lasers with a cavity length of 1 mm. An increase in the frequency of small-signal modulation of vertical-cavity surface-emitting lasers and their temperature stability is associated with the use of highly strained In0.74Ga0.26As/In0.53Al0.25Ga0.21As superlattices. The proposed active regions based on InGaAs-InP superlattices have the potential to be used in the development of vertical-cavity surface-emitting lasers in the 1300 nm spectral range. The findings of this work can be applied in the realization of experimental species and optimization of modulation parameters for vertical-cavity lasers operating in the 1300 nm wavelength range.

сверхрешеткавертикально-излучающий лазерактивная областьусилениеарсенид индия-галлияарсенид индия-алюминия-галлияsuperlatticevertical-cavity surface-emitting laseractive regiongainindium gallium arsenideindium aluminium gallium arsenideРабота выполнена в рамках совместного российско-китайского проекта. Российская сторона благодарит за поддержку Министерство науки и высшего образования Российской Федерации (соглашение о предоставлении из федерального бюджета грантов в форме субсидий № 075-15-2023-579 от 11 августа 2023 года), китайская сторона — National Key R&D Program of China (2023YFE0111200).The results were obtained within Russian-Chinese project, with the financial support of the Russian side by the Ministry of Science and Higher Education of the Russian Federation (grant agreement in the form of a subsidy from the federal budget No. 075-15-2023-579 dated August 11, 2023) and with the financial support of the Chinese side by the National Key R&D Program of China (2023YFE0111200).ReferencesGrasse C., Mueller M., Gruendl T., Boehm G., Roenneberg E., Wiecha P., Rosskopf J., Ortsiefer M., Meyer R., Amann M.-C. AlGaInAsPSb-based high-speed short-cavity VCSEL with singlemode emission at 1.3 μm grown by MOVPE on InP substrate // Journal of Crystal Growth. 2016. V. 370. P. 217–220. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.06.051Grasse C., Mueller M., Gruendl T., Boehm G., Roenneberg E., Wiecha P., Rosskopf J., Ortsiefer M., Meyer R., Amann M.-C. AlGaInAsPSb-based high-speed short-cavity VCSEL with singlemode emission at 1.3 μm grown by MOVPE on InP substrate. Journal of Crystal Growth, 2016, vol. 370, pp. 217–220. https://doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2012.06.051Camargo Silva M.T., Sih J.P., Chou T.M., Kirk J.K., Evans G.A., Butler J.K. 1.3 μm strained MQW AlGaInAs and InGaAsP ridgewaveguide lasers-a comparative study // Proc. of the SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference. V. 1. 1999. P. 10–12. https://doi.org/10.1109/IMOC.1999.867027Camargo Silva M.T., Sih J.P., Chou T.M., Kirk J.K., Evans G.A., Butler J.K. 1.3 μm strained MQW AlGaInAs and InGaAsP ridgewaveguide lasers-a comparative study. Proc. of the SBMO/IEEE MTT-S International Microwave and Optoelectronics Conference. V. 1, 1999, pp. 10–12. https://doi.org/10.1109/IMOC.1999.867027Savolainen P., Toivonen M., Orsila S., Saarinen M., Melanen P., Vilokkinen V., Dumitrescu M., Panarello T., Pessa M. AlGaInAs/InP strained-layer quantum well lasers at 1.3 μm grown by solid source molecular beam epitaxy // Journal of Electronic Materials. 1999. V. 28. N 8. P. 980–985. https://doi.org/10.1007/s11664-999-0208-6Savolainen P., Toivonen M., Orsila S., Saarinen M., Melanen P., Vilokkinen V., Dumitrescu M., Panarello T., Pessa M. AlGaInAs/InP strained-layer quantum well lasers at 1.3 μm grown by solid source molecular beam epitaxy. Journal of Electronic Materials, 1999, vol. 28, no. 8, pp. 980–985. https://doi.org/10.1007/s11664-999-0208-6Park M.-R., Kwon O.-K., Han W.-S., Lee K.-H., Park S.-J., Yoo B.-S. All-epitaxial InAlGaAs-InP VCSELs in the 1.3-1.6-μm wavelength range for CWDM band applications // IEEE Photonics Technology Letters. 2006. V. 18. N 16. P. 1717–1719. https://doi.org/10.1109/LPT.2006.879940Park M.-R., Kwon O.-K., Han W.-S., Lee K.-H., Park S.-J., Yoo B.-S. All-epitaxial InAlGaAs-InP VCSELs in the 1.3-1.6-μm wavelength range for CWDM band applications. IEEE Photonics Technology Letters, 2006, vol. 18, no. 16, pp. 1717–1719. https://doi.org/10.1109/LPT.2006.879940Jewell J., Graham L., Crom M., Maranowski K., Smith J., Fanning T., Schnoes M. Commercial GaInNAs VCSELs grown by MBE // Physica Status Solidi C. 2008. V. 5. N 9. P. 2951–2956. https://doi.org/10.1002/pssc.200779295Jewell J., Graham L., Crom M., Maranowski K., Smith J., Fanning T., Schnoes M. Commercial GaInNAs VCSELs grown by MBE. Physica Status Solidi C, 2008, vol. 5, no. 9, pp. 2951–2956. https://doi.org/10.1002/pssc.200779295Naone R.L., Jackson A.W., Feld S.A., Galt D., Malone K.J., Hindi J.J. Monolithic GaAs-based 1.3 μm VCSEL directly-modulated at 10 Gb/s // Proc. of the Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Postconference Technical Digest (IEEE Cat. No.01CH37170). 2001. P. CPD13-CP1. https://doi.org/10.1109/CLEO.2001.948231Naone R.L., Jackson A.W., Feld S.A., Galt D., Malone K.J., Hindi J.J. Monolithic GaAs-based 1.3 μm VCSEL directly-modulated at 10 Gb/s. Proc. of the Technical Digest. Summaries of papers presented at the Conference on Lasers and Electro-Optics. Postconference Technical Digest (IEEE Cat. No.01CH37170), 2001, pp. CPD13-CP1. https://doi.org/10.1109/CLEO.2001.948231Boehm G., Ortsiefer M., Shau R., Rosskopf J., Lauer C., Maute M., Köhler F., Mederer F., Meyer R., Amann M.-C. InP-based VCSEL technology covering the wavelength range from 1.3 to 2.0 μm // Journal of Crystal Growth. 2003. V. 251. N 1-4. P. 748–753. https:// doi.org/10.1016/S0022-0248(02)02193-0Boehm G., Ortsiefer M., Shau R., Rosskopf J., Lauer C., Maute M., Köhler F., Mederer F., Meyer R., Amann M.-C. InP-based VCSEL technology covering the wavelength range from 1.3 to 2.0 μm. Journal of Crystal Growth, 2003, vol. 251, no. 1-4, pp. 748–753. https://doi.org/10.1016/S0022-0248(02)02193-0Hofmann W., Müller M., Wolf P., Mutig A., Gründl T., Böhm G., Bimberg D., Amann M.-C. 40 Gbit/s modulation of 1550 nm VCSEL // Electronics Letters. 2011. V. 47. N 4. P. 270–271. https://doi.org/10.1049/el.2010.3631Hofmann W., Müller M., Wolf P., Mutig A., Gründl T., Böhm G., Bimberg D., Amann M.-C. 40 Gbit/s modulation of 1550 nm VCSEL. Electronics Letters, 2011, vol. 47, no. 4, pp. 270–271. https://doi.org/10.1049/el.2010.3631Grundl T., Debernardi P., Muller M., Grasse C., Ebert P., Geiger K., Ortsiefer M., Bohm G., Meyer R., Amann M.-C. Record single-mode, high-power VCSELs by inhibition of spatial hole burning // IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics. 2013. V. 19. N 4. P. 1700913. https://doi.org/10.1109/JSTQE.2013.2244572Grundl T., Debernardi P., Muller M., Grasse C., Ebert P., Geiger K., Ortsiefer M., Bohm G., Meyer R., Amann M.-C. Record single-mode, high-power VCSELs by inhibition of spatial hole burning. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 2013, vol. 19, no. 4, pp. 1700913. https://doi.org/10.1109/JSTQE.2013.2244572Wolf P., Li H., Caliman A., Mereuta A., Iakovlev V., Sirbu A., Kapon E., Bimberg D. Spectral efficiency and energy efficiency of pulse-amplitude modulation using 1.3 μm wafer-fusion VCSELs for optical interconnects // ACS Photonics. 2017. V. 4. N 8. P. 2018–2024. https://doi.org/10.1021/acsphotonics.7b00403Wolf P., Li H., Caliman A., Mereuta A., Iakovlev V., Sirbu A., Kapon E., Bimberg D. Spectral efficiency and energy efficiency of pulse-amplitude modulation using 1.3 μm wafer-fusion VCSELs for optical interconnects. ACS Photonics, 2017, vol. 4, no. 8, pp. 2018–2024. https://doi.org/10.1021/acsphotonics.7b00403Zhang J., Hao C., Zheng W., Bimberg D., Liu A. Demonstration of electrically injected vertical-cavity surface-emitting lasers with postsupported high-contrast gratings // Photonics Research. 2022. V. 10. N 5. P. 1170–1176. https://doi.org/10.1364/PRJ.447633Zhang J., Hao C., Zheng W., Bimberg D., Liu A. Demonstration of electrically injected vertical-cavity surface-emitting lasers with postsupported high-contrast gratings. Photonics Research, 2022, vol. 10, no. 5, pp. 1170–1176. https://doi.org/10.1364/PRJ.447633Rapp S., Salomonsson F., Streubel K., Mogg S., Wennekes F., Bentell J., Hammar M. All-epitaxial single-fused 1.55 μm vertical cavity laser based on an InP Bragg reflector // Japanese Journal of Applied Physics. 1999. V. 38. N 2S. P. 1261. https://doi.org/10.1143/JJAP.38.1261Rapp S., Salomonsson F., Streubel K., Mogg S., Wennekes F., Bentell J., Hammar M. All-epitaxial single-fused 1.55 μm vertical cavity laser based on an InP Bragg reflector. Japanese Journal of Applied Physics, 1999, vol. 38, no. 2S, pp. 1261. https://doi.org/10.1143/JJAP.38.1261Müller M., Grasse C., Amann M.C. InP-based 1.3 μm and 1.55 μm short-cavity VCSELs suitable for telecom- and datacom-applications // Proc. of the 14th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON). 2012. P. 1–4. https://doi.org/10.1109/icton.2012.6254394Müller M., Grasse C., Amann M.C. InP-based 1.3 μm and 1.55 μm short-cavity VCSELs suitable for telecom- and datacom-applications. Proc. of the 14th International Conference on Transparent Optical Networks (ICTON), 2012, pp. 1–4. https://doi.org/10.1109/icton.2012.6254394Sirbu A., Caliman A., Mereuta A., Iakovlev V., Suruceanu G., Kapon E. Recent progress in wafer-fused VCSELs emitting in the 1550-nm band // Proc. of the 13th International Conference on Transparent Optical Networks. 2011. P. 1–4. https://doi.org/10.1109/ICTON.2011.5970822Sirbu A., Caliman A., Mereuta A., Iakovlev V., Suruceanu G., Kapon E. Recent progress in wafer-fused VCSELs emitting in the 1550-nm band. Proc. of the 13th International Conference on Transparent Optical Networks, 2011, pp. 1–4. https://doi.org/10.1109/ICTON.2011.5970822Novikov I.I., Nadtochiy A.M., Potapov A.Yu., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Ya., Egorov A.Yu., Bougrov V.E. Influence of the doping type on the temperature dependencies of the photoluminescence efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures // Journal of Luminescence. 2021. V. 239. P. 118393. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2021.118393Novikov I.I., Nadtochiy A.M., Potapov A.Yu., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Babichev A.V., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Karachinsky L.Ya., Egorov A.Yu., Bougrov V.E. Influence of the doping type on the temperature dependencies of the photoluminescence efficiency of InGaAlAs/InGaAs/InP heterostructures. Journal of Luminescence, 2021, vol. 239, pp. 118393. https://doi.org/10.1016/j.jlumin.2021.118393Blokhin S.A., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Ledentsov N.N. High power single mode 1300-nm superlattice based VCSEL: Impact of the buried tunnel junction diameter on performance // IEEE Journal of Quantum Electronics. 2022. V. 58. N 2. P. 2400115. https://doi.org/10.1109/JQE.2022.3141418Blokhin S.A., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Andryushkin V.V., Denisov D.V., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Ledentsov N.N. High power single mode 1300-nm superlattice based VCSEL: Impact of the buried tunnel junction diameter on performance. IEEE Journal of Quantum Electronics, 2022, vol. 58, no. 2, pp. 2400115. https://doi.org/10.1109/JQE.2022.3141418Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Колодезный Е.С., Рочас С.С., Курочкин А.С., Бобрецова Ю.К., Климов А.А., Денисов Д.В., Воропаев К.O., Ионов А.С., Бугров В.Е., Егоров А.Ю. Оптическое усиление в лазерных гетероструктурах с активной областью на основе короткопериодной сверхрешетки InGaAs/InGaAlAs // Оптика и спектроскопия. 2019. Т. 127. № 6. С. 963–966. https://doi.org/10.21883/OS.2019.12.48693.124-19Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Kolodeznyi E.S., Rochas S.S., Kurochkin A.S., Bobretsova Yu.K., Klimov A.A., Denisov D.V., Voropaev K.O., Ionov A.S., Bougrov V.E., Egorov A.Yu. Optical gain in laser heterostructures with an active area based on an InGaAs/InGaAlAs superlattice. Optics and Spectroscopy, 2019, vol. 127, no. 6, pp. 1053–1056. https://doi.org/10.1134/s0030400x19120099Блохин С.А., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Новиков И.И., Блохин А.А., Бобров М.А., Малеев H.А., Кузьменков А.Г., Надточий А.М., Неведомский В.Н., Андрюшкин В.В., Рочас С.С., Денисов Д.В., Воропаев К.О., Жумаева И.О., Устинов В.М., Егоров А.Ю., Бугров В.Е. Исследование характеристик сверхрешетки InGaAs/InAlGaAs для вертикально-излучающих лазеров спектрального диапазона 1300 nm // Журнал технической физики. 2021. Т. 91. № 12. С. 2008–2017. https://doi.org/10.21883/JTF.2021.12.51767.240-21Blokhin S.A., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Novikov I.I., Blokhin A.A., Bobrov M.A., Maleev N.A., Kuzmenkov A.G., Nadtochiy A.M., Nevedomskiy V.N., Andryushkin V.V., Rochas S.S., Denisov D.V., Voropaev K.O., Zhumaeva I.O., Ustinov V.M., Egorov A.Yu., Bougrov V.E. Investigation of the characteristics of the InGaAs/InAlGaAs superlattice for 1300 nm range vertical-cavity surface-emitting lasers. Technical Physics, 2022, vol. 67, no. 15, pp. 2432–2440. https://doi.org/https://doi.org/10.21883/tp.2022.15.55271.240-21Зубов Ф.И., Семенова Е.С., Кулькова И.В., Yvind K., Крыжановская Н.В., Максимов М.В., Жуков А.Е. Высокая характеристическая температура лазера на квантовых точках InAs/GaAs/InGaAsP с длиной волны излучения около 1.5 мкм, синтезированного на подложке InP // Физика и техника полупроводников. 2017. Т. 51. № 10. С. 1382–1386. https://doi.org/10.21883/FTP.2017.10.45017.8590Zubov F.I., Kryzhanovskaya N.V., Maximov M.V., Zhukov A.E., Semenova E.S., Kulkova I.V., Yvind K. On the high characteristic temperature of an InAs/GaAs/InGaAsP QD laser with an emission wavelength of ~1.5 μm on an InP substrate. Semiconductors, 2017, vol. 51, no. 10, pp. 1332–1336. https://doi.org/10.1134/s1063782617100207Dashkov A.S., Kostromin N.A., Babichev A.V., Goray L.I., Egorov A.Yu. Simulation of the energy-band structure of superlattice of quaternary alloys of diluted nitrides // Semiconductors. 2023. V. 57. N 3. P. 203–210. https://doi.org/10.21883/sc.2023.03.56237.4163Dashkov A.S., Kostromin N.A., Babichev A.V., Goray L.I., Egorov A.Yu. Simulation of the energy-band structure of superlattice of quaternary alloys of diluted nitrides. Semiconductors, 2023, vol. 57, no. 3, pp. 203–210. https://doi.org/10.21883/sc.2023.03.56237.4163

The authors declare that there are no conflicts of interest present.