Для цитирования:

Иванов А.Ю., Шарофидинов Ш.Ш., Панов Д.Ю., Кремлева А.В., Бауман Д.А., Романов А.Е. Формирование толстого слоя ε-Ga₂O₃ на подслое GaN с V-дефектами на границе раздела. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2024;24(6):943-948. https://doi.org/10.17586/2226-1494-2024-24-6-943-948

For citation:

Ivanov A.Yu., Sharofidinov Sh.Sh., Panov D.I., Kremleva A.V., Bauman D.A., Romanov A.E. Forming a thick layer of ε-Ga₂O₃ on the GaN sublayer with V-defects at the interface. Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. 2024;24(6):943-948. (In Russ.) https://doi.org/10.17586/2226-1494-2024-24-6-943-948