Для цитирования:
Папылев Д.С., Бабичев А.В., Гладышев А.Г., Карачинский Л.Я., Андрюшкин В.В., Новиков И.И., Ефимов А.О., Егоров А.Ю., Надточий А.М. Влияние скорости эпитаксиального роста сильно напряженных квантовых ям InGaAs на фотолюминесценцию гетероструктур на подложках GaAs. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2025;25(6):1058-1066. https://doi.org/10.17586/2226-1494-2025-25-6-1058-1066
For citation:
Papylev D.S., Babichev A.V., Gladyshev A.G., Karachinsky L.Ya., Andryushkin V.V., Novikov I.I., Efimov A.O., Egorov A.Yu., Nadtochiy A.M. Influence of the growth rate of a highly strained InGaAs quantum well on the photoluminescence of a heterostructures grown on GaAs substrate. Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. 2025;25(6):1058-1066. (In Russ.) https://doi.org/10.17586/2226-1494-2025-25-6-1058-1066
Послать статью по эл. почте 