Выпуск | Название | |
Том 22, № 1 (2022) | Новая аналитическая модель тока стока и параметров малых сигналов AlGaN-GaN транзисторов с высокой подвижностью электронов | Аннотация похожие документы |
А. Фарти, А. Тухами | ||
"... The paper proposes a new analytical model of the drain current in AlGaN-GaN high-electron-mobility ..." | ||
Том 24, № 6 (2024) | Формирование толстого слоя ε-Ga2O3 на подслое GaN с V-дефектами на границе раздела | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. Ю. Иванов, Ш. Ш. Шарофидинов, Д. Ю. Панов, А. В. Кремлева, Д. А. Бауман, А. Е. Романов | ||
"... monocrystal epitaxial ε-Ga2O3/GaN heterostructures which contain V-defects at the interface. The significance ..." | ||
Том 25, № 1 (2025) | Создание модельных наборов целевых классов DAS-сигналов с использованием технологии генеративных состязательных нейронных сетей | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. В. Тимофеев | ||
"... learning methods. The proposed method is a modification of the Generative Adversarial Network (GAN ..." | ||
Том 23, № 3 (2023) | Математическое моделирование трехслойного диэлектрика OTFT на основе пентаценового полупроводника для улучшения электрических характеристик | Аннотация похожие документы |
Д. Пангал, Р. Ядав | ||
"... the source and drain channel due to the incompatible resistance of dielectric medium. The paper presents ..." | ||
Том 23, № 1 (2023) | Применение обратной связи переменной точности для повышения быстродействия контура тока в инверторах на базе GaN-транзисторов | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
А. С. Анучин, М. А. Гуляева, М. М. Лашкевич, А. А. Жарков, Чен Хао, А. Н. Дианов | ||
"... With the advent of wide band-gap semiconductors like SiC and GaN, the frequency of pulse-width ..." | ||
Том 22, № 2 (2022) | IRDFPR-CMDNN: энергоэффективный и надежный протокол маршрутизации для улучшенной передачи данных в MANET | Аннотация похожие документы |
А. Сангита, Т. Раджендран | ||
"... . На первом скрытом уровне применен алгоритм ранжированных лесов решений с мгновенным стоком для ..." | ||
Том 22, № 6 (2022) | Особенности импульсного лазерного напыления тонких пленок InGaAsN в атмосфере активного фонового газа | Аннотация PDF (Rus) похожие документы |
О. В. Девицкий | ||
"... . In the Raman spectra of InGaAsN films on Si, second-order phonon modes LVM InN and LVM GaN were detected ..." | ||
1 - 7 из 7 результатов |
Советы по поиску:
- Поиск ведется с учетом регистра (строчные и прописные буквы различаются)
- Служебные слова (предлоги, союзы и т.п.) игнорируются
- По умолчанию отображаются статьи, содержащие хотя бы одно слово из запроса (то есть предполагается условие OR)
- Чтобы гарантировать, что слово содержится в статье, предварите его знаком +; например, +журнал +мембрана органелла рибосома
- Для поиска статей, содержащих все слова из запроса, объединяйте их с помощью AND; например, клетка AND органелла
- Исключайте слово при помощи знака - (дефис) или NOT; например. клетка -стволовая или клетка NOT стволовая
- Для поиска точной фразы используйте кавычки; например, "бесплатные издания". Совет: используйте кавычки для поиска последовательности иероглифов; например, "中国"
- Используйте круглые скобки для создания сложных запросов; например, архив ((журнал AND конференция) NOT диссертация)