Для цитирования:

Фарти А., Тухами А. Новая аналитическая модель тока стока и параметров малых сигналов AlGaN-GaN транзисторов с высокой подвижностью электронов. Научно-технический вестник информационных технологий, механики и оптики. 2022;22(1):147-154. https://doi.org/10.17586/2226-1494-2022-22-1-147-154

For citation:

Farti A., Touhami A. A new analytical model of drain current and small signal parameters for AlGaN-GaN high-electron-mobility transistors. Scientific and Technical Journal of Information Technologies, Mechanics and Optics. 2022;22(1):147-154. https://doi.org/10.17586/2226-1494-2022-22-1-147-154